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產(chǎn)品展示
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ATV8600-面陣365/395 nm紫外固化光源
名稱ATV8600-面陣365/395 nm紫外固化光源散熱方式水冷波長(zhǎng)365/395 nm照射頭尺寸1000 X 82 X 50 mm 查看更多 -
ATV7600-線陣365/395 nm紫外固化光源
ATV7600-線陣365/395 nm紫外固化光源波長(zhǎng)：365/395±5nm；進(jìn)口LED，壽命長(zhǎng)；風(fēng)冷散熱；照射頭：1個(gè)； 查看更多 -
ATV1200-四通道365 nm紫外固化光源
ATV1200-四通道365 nm紫外固化光源波長(zhǎng)：365±5 nm；照射頭：1～4個(gè)；Z大輸出光功率：7000 mW/cm2 查看更多 -
ATT2206-近紅外640×512紅外焦平面
ATT2206-近紅外640×512紅外焦平面該產(chǎn)品采用近紅外640×512紅外焦平面讀出電路芯片與近紅外640×512紅外焦平面元光敏芯片倒焊互聯(lián)，實(shí)現(xiàn)對(duì)探測(cè)器信號(hào)的積... 查看更多 -
ATT2203-近紅外320×256紅外焦平面
ATT2203-近紅外320×256紅外焦平面該產(chǎn)品采用320×256讀出電路芯片與320×256元光敏芯片倒焊互聯(lián)，實(shí)現(xiàn)對(duì)探測(cè)器信號(hào)的積分、存儲(chǔ)和輸出。光敏芯片采用背照... 查看更多 -
ATT2103-256×1短波紅外InGaAs焦平面探測(cè)模塊
ATT2103-256×1短波紅外InGaAs焦平面探測(cè)模塊 芯片-電路模塊由1個(gè)256×1的InGaAs芯片、2個(gè)128×1的讀出電路及一個(gè)過(guò)渡電極板組合而成。光敏... 查看更多 -
ATT2102-256×1短波紅外InGaAs焦平面探測(cè)器
ATT2102-256×1短波紅外InGaAs焦平面探測(cè)器芯片-電路模塊由1個(gè)256×1的InGaAs芯片、2個(gè)128×1的讀出電路及一個(gè)過(guò)渡電極板組合而成。光敏芯片采用... 查看更多 -
ATT1121--金屬封裝高性能硅光電池（PD）
ATT1121--金屬封裝高性能硅光電池（PD）光電池是一種直接由光能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件，屬整流光電元件。它有一個(gè)大面積的PN結(jié)，當(dāng)光照射到PN結(jié)上時(shí)，在PN結(jié)兩端便產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，在電極之間就能輸出... 查看更多 -
ATT1120--高性能儀器用硅光電池（PD）
ATT1120--高性能儀器用硅光電池（PD）光電池是一種直接由光能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件，屬整流光電元件。它有一個(gè)大面積的pn結(jié)，當(dāng)光照射到pn結(jié)上時(shí)，在pn結(jié)兩端便產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，在電極之間就能輸出一... 查看更多 -
激光測(cè)距模塊
ATT1101--激光測(cè)距模塊測(cè)量速率：1~7Hz；根據(jù)反射面的環(huán)境情況，Z快可以達(dá)7次/每秒；Z慢為每次2秒。 分辨率：1mm 供電電壓：3-5V直流（建議5V） 查看更多 -
ATT1100--雪崩二極管（APD）--激光測(cè)距用
ATT1100--雪崩二極管（APD）--激光測(cè)距用 ATT1000是專門為激光測(cè)距優(yōu)化設(shè)計(jì)的雪崩二極管（APD），具有高速響應(yīng)、高增益、低結(jié)電容、低噪聲的特點(diǎn)，非常適合激光測(cè)距、雷達(dá)等應(yīng)用。 查看更多 -
ATT1001-無(wú)需高壓驅(qū)動(dòng)的高性能光電倍增管
ATT1001-無(wú)需高壓驅(qū)動(dòng)的高性能光電倍增管Z大增益系數(shù)：2 × 10^6；響應(yīng)頻段：350 ～ 950 nm ；響應(yīng)速度：1 MHz； 查看更多
